パターン形成方法およびこれに用いるポジ型ホトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997093072
Publication number (International publication number)：1998268522
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】特に、液晶パネル等の10μmライン/10μmスペース前後の微細なパターンが要求されるパターン形成において、再現性に優れ、断線、短絡等の生じないパターンの形成方法、および該パターン形成に適用される、基板との密着性に優れ、耐めっき性の良好な無電解めっき用ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の含硫黄有機化合物(チオ尿素、チオフェン、チアゾール、チオナリド、ジフェニルカルバジド等)を1種または2種以上含有するポジ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで現像し露光部分を除去することによってホトレジストパターンを形成した後、無電解めっき処理により導電パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

チオ尿素、チオフェン、チアゾール、チオナリド、ジフェニルカルバジド、チアゾリン、テトラメチルチオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、N-tert-ブチル-2-ベンゾチアゾリルスルフェンアミド、およびテトラメチルチウラムジスルフィドの中から選ばれる1種または2種以上の含硫黄有機化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥した後、マスクパターンを介して選択的に露光し、次いで現像し露光部分を除去することによってホトレジストパターンを形成する、ホトレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/085 , G03F 7/022 , G03F 7/039 501 , H01L 21/027 , H05K 3/18

FI (6)：

G03F 7/085 , G03F 7/022 , G03F 7/039 501 , H05K 3/18 D , H05K 3/18 E , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ポジ型感光性組成物とそれを用いた微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-214004 Applicant：富士ハントエレクトロニクステクノロジ-株式会社
特開平2-141754
特開平2-141751

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