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J-GLOBAL ID：200903002427658900

炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
上野 勝典

About 上野 勝典


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999120595
Publication number (International publication number)：2000312008
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 チャネル幅の微細な制御が可能となる、新規な構造の炭化珪素静電誘導トランジスタ、ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ構造を利用し、チャネル層11を第1のゲート領域10と第2のゲート領域12がサンドイッチ状に包むチャネル領域14の構造を有し、第1のゲート領域10と第2のゲート領域12に同一の電圧を印加する手段を設けた炭化珪素静電誘導トランジスタ、また、当該素子構造を、ドリフト層2のエピ層上に第一のゲート層10となるエピ層を形成してから、チャネル領域をトレンチ状にエッチングし、その上に、チャネル層11となる第2のエピ層、さらに第2のゲート領域12をエピ層またはイオン注入によって形成する工程を用いる製造方法とする。
Claim (excerpt)：
第一導電型ドリフト層上にトレンチ構造により分離された第二導電型第一のゲート領域と、該第一のゲート領域上部に第一導電型チャネル層と第二導電型第二のゲート領域が設けられ、前記第一導電型ドリフト層と第一導電型チャネル層は前記トレンチ構造底部で接触し、該トレンチ構造側壁部において、前記第一導電型チャネル層は前記第二導電型第一のゲート領域と前記第二導電型第二のゲート領域によりサンドイッチ状に挟まれた構造を有し、前記チャネル層を流れる電流を制限すべく前記第一のゲート領域および前記第二のゲート領域に電圧を印加する手段を設けたことを特徴とする炭化珪素静電誘導トランジスタ。
F-Term (9)：
5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 特開昭53-104182
  • 炭化けい素縦型FET
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183721   Applicant：富士電機株式会社
  • 炭化けい素半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-100026   Applicant：株式会社日立製作所
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