Pat
J-GLOBAL ID：200903002434326000

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子

Inventor：
石川 瑞恵

About 石川 瑞恵

, 
斉藤 好昭

About 斉藤 好昭

, 
杉山 英行

About 杉山 英行

, 
井口 智明

About 井口 智明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007218963
Publication number (International publication number)：2009054724
Application date： Aug. 24, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：
【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンMOS電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板31の表面領域には不純物拡散層32が形成され、不純物拡散層32上には、(001)配向したMgO層33が形成されている。さらに、MgO層33上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金34が形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体層の表面領域に形成された不純物拡散層と、 前記不純物拡散層上に形成され、(001)配向したMgO層と、 前記MgO層上に形成されたホイスラー合金と、 を積層した構造を有することを特徴とする積層体。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (6)：
H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  H01L27/10 447
F-Term (46)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5E049AA04 ,  5E049AA10 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC18 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD23 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA11 ,  5F092EA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM