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J-GLOBAL ID：200903098425521280

スピン注入FET

Inventor： 斉藤 好昭 ,  杉山 英行 ,  井口 智明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005101531
Publication number (International publication number)：2006286726
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】熱的安定性に優れ、素子破壊もないスピン注入FETを提供する。【解決手段】本発明の例に関わるスピン注入FETは、磁化方向が固定される第1強磁性体11aと、スピン注入電流により磁化方向が変化する第2強磁性体11bと、第1及び第2強磁性体11a,11b間のチャネル上に形成されるゲート電極15と、チャネルに流れるスピン注入電流の向きを制御し、第2強磁性体11bの磁化方向を決定する第1ドライバ/シンカーPA,PB,NA,NBと、第2強磁性体11bの磁化容易軸方向の磁場を発生させるアシスト電流を流す配線BL(R)と、配線BL(R)を流れるアシスト電流の向きを制御する第2ドライバ/シンカーPC,PD,NC,NDとを備える。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定される第1強磁性体と、 スピン注入電流により磁化方向が変化する第2強磁性体と、 前記第1及び第2強磁性体間のチャネルと、 前記チャネル上にゲート絶縁層を介して形成されるゲート電極と、 前記チャネルに流れる前記スピン注入電流の向きを制御し、前記第2強磁性体の磁化方向を決定する第1ドライバ/シンカーと を具備することを特徴とするスピン注入FET。

IPC (7)：

H01L 29/82 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (6)：

H01L29/82 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 622 ,  H01L27/10 447

F-Term (63)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083NA01 ,  5F110AA23 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HK01 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK41 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL08 ,  5F110HM12 ,  5F110NN62 ,  5F140AA00 ,  5F140AA34 ,  5F140AC12 ,  5F140AC16 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BH27 ,  5F140BH33 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK24 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-156406   Applicant：株式会社東芝
• スピントランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-281043   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190984   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-166285   Applicant：松下電器産業株式会社
• スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-097244   Applicant：シャープ株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-194513   Applicant：株式会社東芝
• 磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-544759   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク