Pat
J-GLOBAL ID:200903009005164632

平坦化トンネル磁気抵抗素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002121121
Publication number (International publication number):2003318465
Application date: Apr. 23, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、MgOアモルファス層2とMgO(001)高配向層3の二重層からなる下地層を有する。
Claim (excerpt):
MgOアモルファス層とMgO(001)高配向層の二重層からなる下地層を有することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
IPC (2):
H01L 43/08 ,  H01L 27/105
FI (2):
H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (1):
5F083FZ10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page