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J-GLOBAL ID：200903009005164632
平坦化トンネル磁気抵抗素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002121121
Publication number (International publication number)：2003318465
Application date： Apr. 23, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、MgOアモルファス層2とMgO(001)高配向層3の二重層からなる下地層を有する。
Claim (excerpt)：
MgOアモルファス層とMgO(001)高配向層の二重層からなる下地層を有することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
Cited by examiner (8)
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交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-070231
Applicant：深道和明, アルプス電気株式会社
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変換器
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-200356
Applicant：リード-ライトコーポレーション
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強磁性ホール素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-315765
Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
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