半導体基板の洗浄方法及びこれに用いられる洗浄装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996147323
Publication number (International publication number)：1997139371
Application date： Jun. 10, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】より簡易で安全で効果的な半導体基板表面の清浄方法を得る。【解決手段】最終洗浄工程において、i)純水、または純水と酸あるいはアルカリとの混合溶液に、還元性を付与する気体を10-6ないし100%含む気体成分を0.1気圧以上で接触させて洗浄を行なうか、もしくはii)純水、または純水と酸あるいはアルカリとの混合溶液を電気分解して得られた酸化還元電位が負であり、かつpH7ないし13である陰極水のうち、その溶存酸素量を制御して洗浄を行なうか、あるいはiii)この陰極水を用いて還元性を付与する気体10-6ないし100%を含む1気圧の不活性ガス雰囲気下で洗浄を行なう。

Claim (excerpt)：

酸化膜被覆された半導体基板表面を部分的に露出して形成されたベアパターンを、純水と、酸及び純水の混合溶液と、アルカリ及び純水の混合溶液とからなる群から選択される少なくとも1つの洗浄溶液を用いて表面処理する工程を有する半導体基板の洗浄方法において、前記表面処理工程中の最終洗浄工程は、前記洗浄溶液を電気分解することにより得られた溶液のうち、酸化還元電位が負であり、かつpH7ないし13である陰極水を、溶存酸素濃度300ppb以下に維持して用いることにより行なわれることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

ウェット処理方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-218211 Applicant：日本電気株式会社
純水供給システム及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-188146 Applicant：大見忠弘
ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197442 Applicant：大見忠弘

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Cited by examiner (4)

ウェット処理方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-218211 Applicant：日本電気株式会社
純水供給システム及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-188146 Applicant：大見忠弘
ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197442 Applicant：大見忠弘

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