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J-GLOBAL ID：200903074760737789

ウエハ洗浄装置及び洗浄方法

Inventor：
大見 忠弘

About 大見 忠弘


Applicant, Patent owner：
大見 忠弘

About 大見 忠弘


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993197442
Publication number (International publication number)：1995058076
Application date： Aug. 09, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、ウエハ洗浄後のウエハ表面を完全に水素ターミネートし、洗浄後のウエハ表面の汚染、自然酸化膜の生成を防止することが可能なウエハ洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。【構成】 洗浄液によるウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗浄装置であって、水素を含むガスから水素活性種を生成させるための水素活性種生成手段と、水素活性種を含む活性ガスを前記洗浄槽内に導入する活性ガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含む活性ガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とする。また、洗浄液によりウエハを洗浄した後、乾燥させるウエハ洗浄方法であって、乾燥時においてウエハ表面に水素活性種を含むガスを吹き付け、ウエハ表面のダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
洗浄液によるウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗浄装置であって、水素を含むガスから水素活性種を生成させるための水素活性種生成手段と、水素活性種を含む活性ガスを前記洗浄槽内に導入する活性ガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含む活性ガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とするウエハ洗浄装置。
IPC (3)：
H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 特開平4-116927
  • 特開平4-096226
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-327207   Applicant：富士通株式会社
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