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J-GLOBAL ID：200903002474266387

多層回路基板およびその製造方法

Inventor：
谷 元昭

About 谷 元昭

, 
佐々木 伸也

About 佐々木 伸也

, 
中川 香苗

About 中川 香苗


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 土井 健二 ,  林 恒徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006001499
Publication number (International publication number)：2007150221
Application date： Jan. 06, 2006
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：
【課題】絶縁樹脂層と配線層との間の密着性に優れた多層回路基板を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物および/またはシランカップリング剤で処理し、次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
絶縁樹脂層と配線層とを含んでなる多層回路基板の製造方法において、 当該絶縁樹脂層表面に、水酸基、カルボニル基およびカルボキシル基からなる群から選ばれた少なくとも1種類の官能基を生成させ、 当該絶縁樹脂層表面をトリアジン化合物で処理し、 次いで、パラジウム触媒を用いた無電解金属めっき膜を形成し、さらに当該無電解金属めっき膜上に金属電気めっき膜を形成させる ことを含む、多層回路基板の製造方法。
IPC (5)：
H05K 3/38 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/46 ,  C23C 18/30 ,  C25D 5/56
FI (6)：
H05K3/38 A ,  H05K3/18 A ,  H05K3/18 E ,  H05K3/46 B ,  C23C18/30 ,  C25D5/56 A
F-Term (60)：
4K022AA13 ,  4K022AA15 ,  4K022AA18 ,  4K022AA19 ,  4K022AA26 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA12 ,  4K022CA14 ,  4K022CA17 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022EA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB17 ,  4K024BA09 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024CA02 ,  4K024EA02 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA16 ,  5E343BB04 ,  5E343BB71 ,  5E343CC32 ,  5E343CC52 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE22 ,  5E343EE37 ,  5E343ER01 ,  5E343GG02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346CC41 ,  5E346CC60 ,  5E346DD25 ,  5E346DD33 ,  5E346EE09 ,  5E346EE18 ,  5E346EE33 ,  5E346EE38 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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