Pat
J-GLOBAL ID：200903002479632438
半導体ウェーハの研磨方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005340971
Publication number (International publication number)：2007149884
Application date： Nov. 25, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：
【課題】研磨後の半導体ウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度を改善する。【解決手段】半導体ウェーハの裏面に、硬質のワックスを塗布してワックス層を形成する。次いで、シリコンウェーハを、枚葉式の接着装置を用いて、ワックス層を介して、算術表面粗さが0.1〜0.3μmのキャリアプレートの表面に1枚ずつ押し付ける。硬質ワックスは、キャリアプレートの凹部に入り込まず、キャリアプレートとワックス層との界面は略フラットである。このシリコンウェーハ表面を鏡面研磨する。研磨面とワックス層とに一定の厚みを保持したまま、シリコンウェーハ表面を研磨できる。これにより、シリコンウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度が改善する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハの裏面にワックスを塗布してワックス層を形成し、
表面の算術平均粗さが0.1〜0.3μmのキャリアプレートの表面に上記半導体ウェーハの裏面を押し付け、
所定厚さを保持する上記ワックス層を介して保持した半導体ウェーハ表面を鏡面研磨する半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/304 622J
, B24B37/04 J
3C058AA07
, 3C058AB04
, 3C058AB09
, 3C058CB01
, 3C058DA17
Cited by applicant (3)
-
半導体ウェーハの接着装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-049155
Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
-
ウェハ貼付けプレートとそれを用いた半導体ウェハの研磨方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-068888
Applicant：住友電気工業株式会社
-
特開平1-101386
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page
