窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215244
Publication number (International publication number)：2000049377
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 In組成が高く、かつ結晶性が良好な活性層と結晶性の良好なクラッド層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】第1の成長温度でInを含む活性層4を成長させる工程と、第1のクラッド層5を成長させる工程と、第1の成長温度よりも高い第2の成長温度でAlを含む第2のクラッド層6を成長させる工程と、を少なくとも含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、第1のクラッド層5を、活性層4の成長完了時点からそのまま継続して結晶材料を活性層4の表面に成長させることにより、活性層4を構成しているInや窒素等の蒸発を防止する。

Claim (excerpt)：

第1の成長温度でInを含む活性層を成長させる工程と、前記活性層の表面に第1のクラッド層を成長させる工程と、前記第1の成長温度よりも高い第2の成長温度でAlを含む第2のクラッド層を成長させる工程と、を少なくとも含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記第1のクラッド層を、前記活性層の成長完了時点からそのまま継続して前記第1のクラッド層の結晶材料の成長により形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (23)：

5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-203055 Applicant：ソニー株式会社
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213280 Applicant：住友化学工業株式会社

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