3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213280
Publication number (International publication number)：1997097921
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光素子の輝度、発光効率を高めることができ、発光素子の製造歩留りを向上できる均一性に優れ高品質の3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて製造する方法において、該3-5族化合物半導体を成長させる前に一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0<a≦1、0≦b<1)で表される第1の層を500Å/分以下の成長速度で形成し、次に第1の層の成長温度以下の温度で該3-5族化合物半導体を成長させる工程を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を、3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、有機金属気相成長法により反応管内で成長させて製造する方法において、該3-5族化合物半導体を成長させる前に一般式Ga<SB>a </SB>Al<SB>b </SB>N(ただし、a+b=1、0<a≦1、0≦b<1)で表される第1の層を500Å/分以下の成長速度で形成し、次に第1の層の成長温度以下の温度で該3-5族化合物半導体を成長させる工程を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

p型窒化ガリウムの成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042125 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106557 Applicant：日亜化学工業株式会社

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