半導体の成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996203055
Publication number (International publication number)：1998032349
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度で別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaInN/GaN量子井戸構造を形成する場合に、700〜850°Cの成長温度でGaInN層5を成長させた後、このGaInN層5の成長温度と同等の成長温度でGaNキャップ層6を成長させてGaInN層5の表面を覆う。GaNキャップ層6の厚さは30nm以上とする。この後、成長温度を例えば1000°Cまで上昇させてGaN層7を成長させる。GaNキャップ層6の代わりにAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nキャップ層(ただし、0<x≦1)を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlx Ga1-x N(ただし、0≦x≦1)からなる保護膜を気相成長させるようにしたことを特徴とする半導体の成長方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-015228 Applicant：住友化学工業株式会社
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098633 Applicant：シャープ株式会社
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-107834 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (6)

化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098633 Applicant：シャープ株式会社
3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-015228 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-107834 Applicant：三洋電機株式会社

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