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J-GLOBAL ID:200903002550529031
レジスト下層膜用組成物およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大井 正彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000226604
Publication number (International publication number):2002040668
Application date: Jul. 27, 2000
Publication date: Feb. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 レジストとの密着性が高く、レジスト現像液および酸素アッシングに対して耐性を有し、再現性の高いレジストパターンが得られるレジスト下層膜の形成が可能で、保存安定性に優れた下層膜用組成物およびその製造方法の提供。【解決手段】 本発明のレジスト下層膜用組成物は、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と、下記一般式(2)で表されるシラン化合物とを、水および触媒の存在下に、プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中において加水分解および/または縮合することによって得られるものである。【化1】
Claim (excerpt):
プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中に、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と下記一般式(2)で表されるシラン化合物との加水分解物および/または縮合物が含有されてなることを特徴とするレジスト下層膜用組成物。【化1】
IPC (3):
G03F 7/11 503
, H01L 21/027
, H01L 21/312
FI (3):
G03F 7/11 503
, H01L 21/312 C
, H01L 21/30 563
F-Term (12):
2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025DA35
, 5F046HA01
, 5F058AA08
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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光学材料および光学材料用コーティング組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-032496
Applicant:東レ株式会社
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シロキサン系ポリマー含有塗布液及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-292176
Applicant:日本ゼオン株式会社, 富士通株式会社
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特開平4-340553
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シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-028475
Applicant:日立化成工業株式会社
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レジスト下層膜用組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-352989
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-360292
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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