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J-GLOBAL ID:200903002550529031

レジスト下層膜用組成物およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大井 正彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000226604
Publication number (International publication number):2002040668
Application date: Jul. 27, 2000
Publication date: Feb. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 レジストとの密着性が高く、レジスト現像液および酸素アッシングに対して耐性を有し、再現性の高いレジストパターンが得られるレジスト下層膜の形成が可能で、保存安定性に優れた下層膜用組成物およびその製造方法の提供。【解決手段】 本発明のレジスト下層膜用組成物は、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と、下記一般式(2)で表されるシラン化合物とを、水および触媒の存在下に、プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中において加水分解および/または縮合することによって得られるものである。【化1】
Claim (excerpt):
プロピレングリコールモノエチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる少なくとも1種の有機溶媒中に、下記一般式(1)で表されるシラン化合物と下記一般式(2)で表されるシラン化合物との加水分解物および/または縮合物が含有されてなることを特徴とするレジスト下層膜用組成物。【化1】
IPC (3):
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312
FI (3):
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/30 563
F-Term (12):
2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025DA35 ,  5F046HA01 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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