レジスト下層膜用組成物

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999352989
Publication number (International publication number)：2001166490
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】長期保温した場合のレジストパターンの再現性や解像度に優れ、焼成温度に対するレジストとの密着性依存性の少ないレジスト下層膜用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物をSi(OR1)4・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)下記一般式(2)で表される金属のキレート化合物R2aM(OR3)b-a ・・・・・(2)(R2はキレート剤、Mは金属原子、R3は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、bは金属Mの原子価、aは1〜bの整数を表す。)および/または酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表される化合物をSi(OR1)4・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)下記一般式(2)で表される金属のキレート化合物R2aM(OR3)b-a ・・・・・(2)(R2はキレート剤、Mは金属原子、R3は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、bは金属Mの原子価、aは1〜bの整数を表す。)および/または酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

IPC (2)：

G03F 7/11 503 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/11 503 , H01L 21/30 574

F-Term (12)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025CB33 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025DA35 , 2H025DA40 , 2H025FA29 , 5F046HA07 , 5F046JA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

コーティング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-296953 Applicant：東レ株式会社
コーティング用組成物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-245333 Applicant：東レ株式会社
紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-178851 Applicant：東レ株式会社

Show all

Return to Previous Page