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J-GLOBAL ID：200903002555934856

薄膜構造体

Inventor： 梨本 恵一 ,  渡部 雅夫 ,  森山 弘朗
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999255886
Publication number (International publication number)：2001080996
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： Mar. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 単結晶基板の表面に形成される薄膜構造体であって、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜を表面に有する薄膜構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板10の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のPb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3からなるバッファ層12を設けた後に、該バッファ層12の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜14を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板の表面に形成される薄膜構造体であって、該単結晶基板の表面に設けられた単結晶状またはエピタキシャル状のPb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3からなるバッファ層と、該バッファ層の表面に設けられた単結晶状またはエピタキシャル状でありABO3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜と、からなる薄膜構造体。

IPC (4)：

C30B 29/32 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  H01B 5/14

FI (4)：

C30B 29/32 D ,  H01B 5/14 Z ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 H

F-Term (14)：

2H047PA02 ,  2H047PA06 ,  2H047QA01 ,  2H047QA07 ,  2H047TA00 ,  2H047TA43 ,  4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077BC43 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  5G307GA08 ,  5G307GC02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 配向性強誘電体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297621   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 高誘電体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-178949   Applicant：株式会社日立製作所