半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996259654
Publication number (International publication number)：1998107372
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】戻りレーザ光の反射を防止することができる半導体レーザ装置の提供と、戻りレーザ光反射防止加工を簡単に、かつ短時間で行うことができる製造方法の提供を課題とする。【解決手段】半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子3を固定するサブマウント7を備え、半導体レーザ素子3とサブマウント7のレーザ出光点8側に位置する端面3a,7aに外部レーザ光を照射して戻りレーザ光の反射防止加工領域3b,7bを形成した。また、半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子3を固定するサブマウント7と、これらを密閉収納するパッケージ2を備える半導体レーザ装置1を製造する際に、パッケージ2に設けられたレーザ光出射用の窓11を介して外部からレーザ光Lを照射することにより、半導体レーザ素子3若しくはサブマウント7に戻りレーザ光の反射防止加工を施すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

出光点側の端面にレーザ光を照射して戻りレーザ光の反射防止加工を施した半導体レーザ素子を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平1-161792
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276932 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平2-084786

Show all

Cited by examiner (9)

特開平1-161792
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276932 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平2-084786

Show all

Return to Previous Page