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J-GLOBAL ID：200903002579685113

窒化物半導体の成長方法

Inventor： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995237501
Publication number (International publication number)：1997083016
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 基板の上に成長させる窒化物半導体の結晶性を向上させ、信頼性に優れたLED、LD等を実現する。【構成】 気相成長法により、InaAlbGa1-a-bN(0≦a、0≦b、a+b≦1)で示される窒化物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる方法において、基板にSiCを使用し、そのSiC基板の上にX値が順次小さくなるように組成傾斜したAlXGa1-XN(0≦X≦1)層を成長させ、そのAlXGa1-XN層の上に窒化物半導体を成長させることにより、窒化物半導体の格子不整合による歪みを緩和して結晶性を飛躍的に向上させる。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、InaAlbGa1-a-bN(0≦a、0≦b、a+b≦1)で示される窒化物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる方法において、基板にSiCを使用し、そのSiC基板の上にX値が順次小さくなるように組成傾斜したAlXGa1-XN(0≦X≦1)層を成長させ、そのAlXGa1-XN層の上に前記窒化物半導体を成長させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-223330
  
• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平4-223330
  
• 特開昭60-210834
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社