単一電子装置およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998159281
Publication number (International publication number)：1999195780
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】金属ナノクリスタルを含む単一電子半導体装置の製造において、前記金属ナノクリスタルを、絶縁膜中の所定の深さに、単層の二次元配列として形成する。【解決手段】 Si基板上に形成された絶縁膜中に、イオン注入法により金属イオンを、前記金属イオンが前記基板にまで到達しないような低い加速エネルギで打ち込み、高温でアニールする。

Claim (excerpt)：

導電性基板と、前記導電性基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に、前記基板と前記絶縁膜との界面に実質的に平行に形成された、ナノメートルサイズの径を有する複数の導電性粒子と、前記絶縁膜上に形成された電極とよりなる単一電子装置において、前記複数の導電性粒子は互いに略等しい大きさを有し、前記絶縁膜中で、実質的に同一平面上に配列していることを特徴とする単一電子装置。

IPC (6)：

H01L 29/66 , H01L 21/265 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 29/66 , H01L 27/10 451 , H01L 21/265 Y , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-007419 Applicant：株式会社日立製作所
電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-069588 Applicant：株式会社東芝
単一電子トンネル素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-158695 Applicant：松下電器産業株式会社

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