電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069588
Publication number (International publication number)：1997148462
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】構造が簡単で超低消費電力の半導体メモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】2個以上の半導体閉じ込め領域から構成され、各領域は互いに離れているが電子(正孔)がトンネル効果で行き来出来る程度に近接して存在しており、該半導体閉じ込め領域のうち少なくとも2つの領域は絶縁されて電極に接続されていることを特徴とする電子デバイス。【効果】構造が簡単なため作製が極めて容易であり、かつ電流がほとんど流れないため超低消費電力の半導体メモリ素子を提供できる。

Claim (excerpt)：

キャリアを閉じ込めることのできる少なくとも2つの第1の導伝領域と、この第1の導伝領域よりもエネルギー準位の高い第2の導伝領域と、前記第1の導伝領域に対して電圧を印加するための電極とを具備し、前記電極により前記第1の導伝領域間に電圧を印加することによって、キャリアが前記第1の導伝領域の一方から他方に、トンネル効果により前記第2の導伝領域を経由して移動し、前記第1の導伝領域間にかけた電圧を解除したときはキャリアは主に一方の第1の導伝領域に閉じ込められることを特徴とする電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/10 451

FI (3)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451 , H01L 27/08 102 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置およびそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-160269 Applicant：松下電器産業株式会社
共鳴電子移送素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-226863 Applicant：松下電器産業株式会社
量子効果論理ユニットとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-340772 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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