配線基板、及び半導体装置、並びにそれらの作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004228438
Publication number (International publication number)：2005123576
Application date： Aug. 04, 2004
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】本発明は、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され平坦性を有する絶縁膜と、密着性が高く、かつ低抵抗を有する配線基板の構造及びその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される絶縁膜及び一部が露出された導電膜で形成されるコンタクトホールにおいて、窒素元素の組成比が7atomic%以上44atomic%未満の導電膜が形成されている配線基板であることを特徴とする。本発明の構造により、配線とコンタクト部と接触抵抗を高めずともシリコンと酸素との結合で骨格構造が構成される絶縁膜と配線との密着性を向上させることが可能となる。よって、歩留まり高く半導体装置を形成することが可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体領域と、前記半導体領域表面に形成されたコンタクトホールを有する絶縁膜と、前記コンタクトホールを介して前記半導体領域に接する導電層とを有し、前記絶縁膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成される絶縁膜であり、前記導電層は、窒素元素の含有量が7atomic%以上44atomic%未満であることを特徴とする配線基板。

IPC (7)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (11)：

H01L21/88 K , H01L21/28 301R , H01L21/285 S , H01L21/312 C , H05B33/14 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 619A , H01L29/78 616V , H01L21/88 R , H01L21/90 Q , H01L21/90 C

F-Term (151)：

3K007AB11 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007EA00 , 3K007GA00 , 4M104BB04 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 4M104HH16 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033RR27 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV15 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F033XX14 , 5F058AA08 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法並びに電気光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-044984 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (2)

平面表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-375888 Applicant：株式会社東芝
配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-127977 Applicant：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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