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J-GLOBAL ID：200903020524883500

配線構造およびその製造方法

Inventor： ルイス・シェン ,  シェシャドリ・ラムズワミ ,  マーク・チャン ,  ロビン・チェン
Applicant, Patent owner： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127977
Publication number (International publication number)：1995326618
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ金属エッチングにおける配線のアンダーカットを防止し得る配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】 窒素を含むチタン層(Tix Ny 層)22を、チタン層12と酸化物基板14との間、または、チタン層12とアルミニウム層16との間に介在させる。

Claim (excerpt)：

酸化物基板上に形成されたチタン層と前記チタン層上に形成されたアルミニウム層と前記アルミニウム層上に形成された窒化チタン反射防止層とを含むパターニングされた多層構造の導電配線を有する配線構造における前記チタン層上の前記アルミニウム層の内側に凹んだアンダーカットを減少させるための前記配線構造の製造方法であって、前記酸化物基板上に、窒素を含有するチタン層と、前記チタン層とを、いずれか一方が先で他方が後の順序で堆積する工程と、前記チタン層および前記窒素を含むチタン層のいずれかの上に前記アルミニウム層を堆積する工程と、前記アルミニウム層上に前記窒化チタン反射防止層を堆積する工程と、前記窒化チタン反射防止層、前記アルミニウム層、前記チタン層および前記窒素を含むチタン層をパターニングおよびエッチングして前記導電配線を形成する工程とを備えた、配線構造の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-271632
  
• 特開平2-133923
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-177894   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の配線層形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-245940   Applicant：三星電子株式会社
• 配線形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-271335   Applicant：ヤマハ株式会社