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J-GLOBAL ID：200903002692506187

半導体ウェハーの研磨パッド及び半導体装置の製造方法

Inventor： 長谷川 三恵子
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999040226
Publication number (International publication number)：2000237950
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 05, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ウェハー面内の中央部と周辺部で研磨レートに差が生じることを防止できる半導体ウェハーの研磨パッドを提供する。【解決手段】 研磨パッド22の研磨表面の内の研磨時にウェハーの中央部が接する部分に、中央から外周に向かう複数の放射溝26又は格子溝を形成するとともに、少なくともウェハーの周辺部が接する部分に、研磨パッドと同心の複数の円形溝24を形成する。

Claim (excerpt)：

表面の内の研磨時にウェハーの中央部が接する部分に中央から外周に向かう複数の放射溝が形成されているとともに、少なくともウェハーの周辺部が接する部分に研磨パッドと同心の複数の円形溝が形成されていることを特徴とする半導体ウェハーの研磨パッド。

IPC (2)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (2)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 622 F

F-Term (5)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 研磨布および研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-040212   Applicant：日本電気株式会社
• 研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-196107   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開昭62-099072