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J-GLOBAL ID:200903002741317549
有機電界発光表示装置及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
渡邊 隆
, 志賀 正武
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005030920
Publication number (International publication number):2005222068
Application date: Feb. 07, 2005
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】本発明は、回路TFTと画素TFTそれぞれの電気的特性が最適化された有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。有機電界発光表示装置は回路領域及び画素領域を具備する基板と;基板の回路領域及び画素領域上にそれぞれ位置して、半導体層、ゲート電極及び一対のソース/ドレイン電極を具備する少なくとも一つの回路TFT及び少なくとも一つの画素TFTと;画素TFTのソース/ドレイン電極と電気的に連結された画素電極;及びソース/ドレイン電極と基板間に位置して、全画素領域でオープンされた少なくとも一層のシリコン窒化膜を含む。【選択図】図1D
Claim (excerpt):
回路領域及び画素領域を具備する基板と;
前記基板の回路領域及び画素領域上にそれぞれ位置して、半導体層、ゲート電極及び一対のソース/ドレイン電極を具備する少なくとも一つの回路TFT及び少なくとも一つの画素TFTと;
前記画素TFTのソース/ドレイン電極と電気的に連結された画素電極;及び
前記ソース/ドレイン電極と前記基板間に位置して、前記全画素領域でオープンされた少なくとも一層のシリコン窒化膜を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (3):
G09F9/30
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (3):
G09F9/30 338
, H05B33/10
, H05B33/14 A
F-Term (14):
3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5C094AA21
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094EA04
, 5C094FB01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
薄膜状半導体素子およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-238714
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (3)
-
薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-231035
Applicant:三洋電機株式会社
-
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-144036
Applicant:シャープ株式会社
-
液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-401278
Applicant:富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社
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