ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997323031
Publication number (International publication number)：1999160356
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】高周波信号を用いてウェハ一括型測定検査を可能とするプローブカードの提供。【解決手段】二次元的に配列された複数のバンプ電極22bと、複数のバンプ電極22bに電気的に接続された多層配線基板21とを備えたウェハ一括型測定検査用のプローブカードであって、多層配線基板21がセラミック積層基板21aとリソグラフィ技術により形成された薄膜配線層21bとを有している。

Claim (excerpt)：

二次元的に配列された複数のプローブ電極と、前記複数のプローブ電極に電気的に接続された多層配線基板とを備えたウェハ一括型測定検査用のプローブカードであって、前記多層配線基板は、セラミック積層基板と、前記セラミック積層基板の少なくとも一つの面上にリソグラフィ技術により形成された少なくとも一層の薄膜配線層とを有していることを特徴とするプローブカード。

IPC (4)：

G01R 1/073 , G01R 31/26 , G01R 31/28 , H01L 21/66

FI (5)：

G01R 1/073 E , G01R 31/26 J , H01L 21/66 B , H01L 21/66 H , G01R 31/28 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

プローブカード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-315027 Applicant：松下電器産業株式会社
多層セラミック回路基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-340119 Applicant：京セラ株式会社
セラミック多層配線基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-088571 Applicant：株式会社住友金属エレクトロデバイス, 住友金属工業株式会社

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