Pat

J-GLOBAL ID：200903002830060993

半導体発光素子

Inventor： 堂免 恵
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061490
Publication number (International publication number)：1997260725
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】青色から近紫外領域に発振波長を有する半導体レーザに関し、しきい値電流密度の低減を図る。【解決手段】In、Ga、及びNを構成元素として含む半導体からなる活性層4と、他のIII 族元素又はV族元素を構成元素として含むGaN層からなる障壁層3,5とを有する半導体発光素子であって、活性層4と障壁層3,5との伝導帯不連続が100meV以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

In、Ga、及びNを構成元素として含む半導体からなる活性層と、他のIII 族元素又はV族元素を構成元素として含むGaN層からなる障壁層とを有する半導体発光素子であって、前記活性層と前記障壁層との伝導帯不連続が100meV以上であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189178   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-234184
  

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189178   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-234184