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J-GLOBAL ID：200903017061644046

半導体レーザ

Inventor： 上山 智 ,  大仲 清司 ,  上野山 雄 ,  鈴木 政勝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190466
Publication number (International publication number)：1996056046
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 6方晶特有の利得特性を利用して高性能の半導体レーザを実現する。【構成】 (0001)サファイア基板1上に、n-AlxGa1-xNクラッド層2、AlyGa1-yN第1光ガイド層3、GaN量子井戸層4、AlyGa1-yN 第2光ガイド層5、p-AlxGa1-xNクラッド層6を連続的に形成する。その後、エッチングによりリッジストライプ7を形成し、SiO2絶縁膜8を堆積した後アノード電極9およびカソード電極10を形成する。ここで量子井戸層4の幅は50Aであり、この量子井戸層4とクラッド層26とのバンドギャップ差は0.35eVである。このレーザの構成で、量子井戸の幅を変えることにより、光学利得の偏光依存性の大きい領域では低しきい値電流の半導体レーザが、単純な構造で実現できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層が6方晶系化合物半導体からなるダブルへテロ構造を有し、前記活性層とキャリア閉じこめ層とのバンドギャップ差が0.4eV以下であり、前記活性層は、井戸幅が50Å以下の量子井戸を有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114541   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社