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J-GLOBAL ID：200903002835916268

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄

, 
筆田 麻祐子

About 筆田 麻祐子


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008116422
Publication number (International publication number)：2008187204
Application date： Apr. 25, 2008
Publication date： Aug. 14, 2008
Summary：
【課題】発光の信頼性が高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体発光素子は、第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、該第1窒化物系化合物半導体層には、該第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、少なくとも該溝には、該第2窒化物系化合物半導体層と該発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1窒化物系化合物半導体層、第2窒化物系化合物半導体層、発光層、P型窒化物系化合物半導体層およびP型電極が、この順番に積層された積層体を具備し、 前記第1窒化物系化合物半導体層は、AlN層またはAlGaN層によって構成されており、 該第1窒化物系化合物半導体層には、前記第2窒化物系化合物半導体層が露出するように溝が形成されており、 該溝内には、前記第2窒化物系化合物半導体層と、前記発光層に電流を注入するためのパッド電極とを接続するN型電極が設けられており、 該第1窒化物系化合物半導体層の表面の光出射領域は露出しており、 該バッド電極が該第1窒化物系化合物半導体層の上方に配置されて、該バッド電極にワイヤーがボンディングされていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 E
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • GaN系の半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-280711   Applicant：豊田合成株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243886   Applicant：シャープ株式会社
  • 発光素子および発光素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-153499   Applicant：日亜化学工業株式会社
Cited by examiner (2)

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