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J-GLOBAL ID：200903002853562635

プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置

Inventor： 今福 光祐 ,  遠藤 昇佐 ,  田原 一弘 ,  土屋 浩 ,  友安 昌幸 ,  内藤 幸男 ,  永関 一也 ,  野中 龍 ,  広瀬 圭三 ,  深澤 義男 ,  輿石 公 ,  小林 功
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120869
Publication number (International publication number)：1996264515
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 対向電極間に発生させるプラズマの拡散を防止して、その密度を高くし、被処理体に対する高い微細加工処理を可能にする。【構成】 高周波電源51からの高周波を上部電極21に印加し、高周波電源52の高周波をサセプタ5に印加させる。上部電極21の周囲近傍に、電極間空間を囲むようにして略筒状の接地電極27を設ける。位相コントローラ57によって各高周波電源を制御して、上部電極21とサセプタ5に、夫々電流位相が180 ゚異なった高周波を印加させる。

Claim (excerpt)：

処理室内に対向して設けられた第1の電極と第2の電極との間に、高周波電力によってプラズマを発生させ、当該処理室内の被処理体に対して、前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、前記処理室内における前記電極間空間近傍周囲に、前記プラズマをこの電極間空間に閉じこめるためのプラズマ閉じこめ手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-084801   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭62-069621
  
• 特開平3-004528
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-114161   Applicant：国際電気株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-279017   Applicant：日本真空技術株式会社