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J-GLOBAL ID：200903098115745978

プラズマ処理装置

Inventor： 藤本 秀樹 ,  坪井 秀夫 ,  田辺 正文 ,  野村 太郎
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993279017
Publication number (International publication number)：1995106097
Application date： Oct. 12, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】[目的] 基板を高速度でエッチングすることが出来、かつ基板にチャージアップやそれに伴うダメージを招かないプラズマ処理装置を提供すること。[構成] 真空槽20に配置した平行平板電極11、12にそれぞれRF電源15、19を接続し、かつ一方の電極11には基板16を載置し、更にそれぞれの電極11、12に印加されるRF電力が互いに180度の位相差を持つように移相器40をRF電源15、19に接続する。

Claim (excerpt)：

真空槽内にプラズマ発生用の気体が導入され、かつ一対の平行平板電極が配設されたプラズマ処理装置において、一方の第1電極には基板が載置されると共に前記基板にバイアスをかけるための高周波電源が接続され、他方の第2電極にはプラズマ発生用の高周波電源が接続されており、前記基板をプラズマ処理するに当っては、前記第1電極と前記第2電極において互いに180度の位相差を持つように高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-198376   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
• ドライエツチング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318330   Applicant：国際電気株式会社
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-084801   Applicant：三菱電機株式会社