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J-GLOBAL ID：200903002856868506

超伝導デバイスおよびその製造方法

Inventor： 中西 輝 ,  赤瀬川 章彦 ,  山中 一典 ,  甲斐 学
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004216091
Publication number (International publication number)：2006041723
Application date： Jul. 23, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。【解決手段】 超伝導デバイスは、デバイス基板(11)と、前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターン(12)と、前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層(19)とを備える。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

デバイス基板と、 前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターンと、 前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層と を備えることを特徴とする超伝導デバイス。

IPC (3)：

H01P 1/203 ,  H01L 39/00 ,  H01P 11/00

FI (3)：

H01P1/203 ,  H01L39/00 Z ,  H01P11/00 K

F-Term (16)：

4M113AC44 ,  4M113AD37 ,  4M113AD63 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BA04 ,  4M113CA31 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  5J006HB04 ,  5J006HB05 ,  5J006HB15 ,  5J006LA01 ,  5J006LA27 ,  5J006PA01 ,  5J006PA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 高周波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-333071   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-373202
  
• ストリップライン共振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-277752   Applicant：住友特殊金属株式会社
• 積層部品の導体膜パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-354347   Applicant：富士電気化学株式会社
• 誘電体共振器と誘電体フィルタ、それらの製造方法、並びにそれらを送受アンテナに共用したフィルタ装置と通信機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-177341   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

• 特開平4-373202
  
• 特開平4-373202
  
• ストリップライン共振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-277752   Applicant：住友特殊金属株式会社
• 積層部品の導体膜パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-354347   Applicant：富士電気化学株式会社
• 誘電体共振器と誘電体フィルタ、それらの製造方法、並びにそれらを送受アンテナに共用したフィルタ装置と通信機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-177341   Applicant：松下電器産業株式会社