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J-GLOBAL ID：200903019611419692

高周波デバイス

Inventor： 山崎 六月 ,  寺島 喜昭 ,  福家 浩之 ,  相賀 史彦 ,  加藤 理一 ,  加屋野 博幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333071
Publication number (International publication number)：2002141706
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 所望の優れた特性を有するフィルタを実現することができ、通過特性を精度よく容易に調整することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】 基板11上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子12からなるフィルタ素子と、超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板15と、誘電体板を移動させて、誘電体板の基板との対向面と超伝導体膜が形成された基板表面との間隔を調整するための間隔調整用部材16とを備え、間隔調整用部材と共振素子との最小距離は、共振素子を構成する超伝導体膜のパターン幅の少なくとも3倍以上である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前記超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板を移動させることで、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記超伝導体膜が形成された基板表面との間隔を調整する間隔調整用部材とを備え、前記間隔調整用部材と前記共振素子との最小距離は、前記共振素子を構成する超伝導体膜のパターン幅の少なくとも3倍以上であることを特徴とする高周波デバイス。

IPC (2)：

H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA

FI (2)：

H01P 1/203 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA Z

F-Term (19)：

4M113AC44 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BA15 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  5J006HB03 ,  5J006JA01 ,  5J006LA11 ,  5J006LA25 ,  5J006MA01 ,  5J006MB02 ,  5J006MB03 ,  5J006NA01 ,  5J006NE03 ,  5J006NE11 ,  5J006PA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高周波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-330615   Applicant：株式会社東芝
• 帯域通過濾波器及び帯域通過濾波器の通過帯域幅調整方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-254882   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-368006