Pat
J-GLOBAL ID：200903002872434397
スピントランスファーを利用する磁性素子及び磁性素子を使用するMRAMデバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004526064
Publication number (International publication number)：2005535125
Application date： Aug. 06, 2003
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
磁性素子(100)及び磁性素子(100)を使用する磁気メモリを形成する方法及びシステムを開示するものであり、この磁性素子に対して、大きな出力信号を生成しながらスピントランスファー効果を使用して書き込みを行なうことができる。磁性素子(100)は第1強磁性ピンド層(104)と、非磁性スペーサ層(106)と、強磁性自由層(108)と、絶縁バリア層(110)と、そして第2強磁性ピンド層(112)と、を含む。ピンド層(104)は第1方向に固定される磁化を有する。非磁性スペーサ層(106)は導電体であり、かつ第1ピンド層(104)と自由層(108)との間に位置する。バリア層(110)は自由層(108)と第2ピンド層(112)との間に位置し、かつ電子がバリア層(110)をトンネリングすることができる厚さを有する絶縁体である。第2ピンド層(112)は第2方向に固定される磁化を有する。磁性素子(100)は、自由層(108)の磁化の方向が、書き込み電流が磁性素子を流れるときにスピントランスファーによって変わることができるように構成される。
Claim (excerpt)：
強磁性体であり、かつ第1方向に固定される第1磁化を有する第1ピンド層と、
導電体である非磁性スペーサ層と、
第1非磁性スペーサ層が前記第1ピンド層と前記自由層との間に位置するとともに、強磁性体であり、かつ第2磁化を有する自由層と、
絶縁体であり、かつトンネリングを可能にする厚さを有するバリア層と、
強磁性体であり、かつ第2方向に固定される第3磁化を有する第2ピンド層と、前記バリア層は前記自由層と前記第2ピンド層との間に位置することとを備え、
前記自由層の前記第2磁化の方向は、書き込み電流が磁性素子を流れるときにスピントランスファーによって変わる、磁性素子。
IPC (3)：
H01L43/08
, G11C11/15
, H01L27/105
H01L43/08 Z
, G11C11/15 110
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083GA11
