電圧発生装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006265816
Publication number (International publication number)：2007095282
Application date： Sep. 28, 2006
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】ドライバー端にしきい電圧の低いPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを用いて、最終端の電圧駆動手段のターンオン/ターンオフ動作時間が同じになるように制御し、低電源電圧状態で、ビットラインプリチャージ電圧又はセルプレート電圧を安定的に駆動し、待機電流IDD2P及び動作電流を最小化すること。【解決手段】本発明では、電源電圧のハーフレベルの基準電圧を利用し、異なるレベルのバイアス信号を生成するバイアス信号生成手段と、出力端の電圧レベルに応答してプルダウン駆動信号を生成する駆動信号生成手段と、駆動信号に応答して出力端を駆動する電圧駆動手段と、出力端の電圧レベルに応じてプルアップ駆動信号を非アクティブ/非アクティブにさせる補助駆動制御手段とを備える半導体メモリ素子の電圧発生装置。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

電源電圧のハーフレベルを有する基準電圧を利用し、互いに異なるレベルを有する第1バイアス信号、第2バイアス信号、第3バイアス信号、第4バイアス信号を生成するバイアス信号生成手段(前記第1バイアス信号は、前記基準電圧より予定したレベルの分高く、前記第2バイアス信号は、前記基準電圧より予定したレベルの分低いレベルである)と、前記第1バイアス及び第3バイアス信号が印加されて出力端(ハーフ電圧端)の電圧レベルに応答してプルアップ駆動信号を生成し、前記第2バイアス及び第4バイアス信号が印加されて前記出力端の電圧レベルに応答してプルダウン駆動信号を生成する駆動信号生成手段と、前記プルアップ駆動信号及び前記プルダウン駆動信号に応答して前記出力端をプルアップ/プルダウン駆動する電圧駆動手段と、前記第1バイアス及び第2バイアス信号と前記出力端の電圧レベルとに応答し、前記出力端の電圧レベルが前記基準電圧より高い区間において前記プルアップ駆動信号を非アクティブにし、前記出力端の電圧レベルが前記基準電圧より低い区間において前記プルダウン駆動信号を非アクティブにさせる補助駆動制御手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリ素子の電圧発生装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 , G05F 3/24

FI (2)：

G11C11/34 354F , G05F3/24 B

F-Term (16)：

5H420NA16 , 5H420NB02 , 5H420NB14 , 5H420NB25 , 5H420NC02 , 5H420NC14 , 5H420NE26 , 5M024AA05 , 5M024AA06 , 5M024BB29 , 5M024FF08 , 5M024FF22 , 5M024HH03 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-228587 Applicant：三星電子株式会社
半導体メモリ素子の電圧発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-289899 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
特開平4-209396

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Cited by examiner (9)

半導体メモリ素子の電圧発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-289899 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
特開平4-209396
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071806 Applicant：三菱電機株式会社

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