内部電源の生成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工藤一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005380666
Publication number (International publication number)：2006286170
Application date： Dec. 29, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】外部から印加される外部電源のレベルに関係なく安定して内部電圧を供給できる内部電源の生成装置を提供すること。【解決手段】内部電源の生成装置は、外部電源を印加されて基準電圧と、上位基準電圧と、下位基準電圧とを生成するデッドゾーン調節手段と、前記基準電圧のレベルによって接地されるノードを基準に、感知された内部電圧のレベルと、前記上位基準電圧、または前記下位基準電圧のレベルの差を感知して前記内部電圧を供給するための電圧ドライブ手段とを備える。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

外部電源を印加されて基準電圧と、上位基準電圧と、下位基準電圧とを生成するデッドゾーン調節手段と、前記基準電圧のレベルによって接地されるノードを基準に、感知された内部電圧のレベルと、前記上位基準電圧、または前記下位基準電圧のレベルの差を感知して前記内部電圧を供給するための電圧ドライブ手段と、を備えることを特徴とする内部電源の生成装置。

IPC (1)：

G11C 11/407

FI (1)：

G11C11/34 354F

F-Term (6)：

5M024AA24 , 5M024BB29 , 5M024FF08 , 5M024FF23 , 5M024PP03 , 5M024PP09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体メモリー装置の内部電源電圧供給装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013672 Applicant：サムサンエレクトロニクスシーオー.,エルティーディー
電源回路及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-364683 Applicant：富士通株式会社
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092781 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (7)

電源回路及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-364683 Applicant：富士通株式会社
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092781 Applicant：富士通株式会社
特開平1-161513

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