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J-GLOBAL ID:200903002935573643

パワーモジュール用基板、その製造方法、パワーモジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007023464
Publication number (International publication number):2008192705
Application date: Feb. 01, 2007
Publication date: Aug. 21, 2008
Summary:
【課題】金属板とセラミックス基板との高い接合強度が得られるパワーモジュール用基板及びその製造方法、パワーモジュールを提供する。【解決手段】アルミニウム系セラミックス基板の表面に純アルミニウムからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面付近の結晶粒は、その平均粒径が5μm以上30μm以下であるとともに、接合界面の法線方向に配向した[001]方位の結晶粒の発生領域が前記接合界面の全体領域の50%未満である。【選択図】図2
Claim (excerpt):
セラミックス基板の表面に純アルミニウムからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、 前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面付近の結晶粒は、その平均粒径が5μm以上30μm以下であるとともに、接合界面の法線方向に配向した[001]方位の結晶粒の発生領域が前記接合界面の全体領域の50%未満であることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2):
H01L 23/36 ,  H01L 23/15
FI (2):
H01L23/36 C ,  H01L23/14 C
F-Term (12):
5F136BA02 ,  5F136BB04 ,  5F136BB05 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA12 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136GA02 ,  5F136GA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特開平3-234045号公報
Cited by examiner (4)
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