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J-GLOBAL ID:200903002957656518

積層型圧電素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004374023
Publication number (International publication number):2005210108
Application date: Dec. 24, 2004
Publication date: Aug. 04, 2005
Summary:
【課題】 側面を介して生じるマイグレーションを防止しつつ、焼成時の変形を抑制することができる積層型圧電素子を提供する。【解決手段】 積層型圧電素子100は、圧電体層5を間に介在させて第1内部電極1と第2内部電極2とが交互に積層され、第1内部電極1同士、及び第2内部電極2同士が、圧電体層5を積層方向に貫通して設けられたスルーホール11、21を介して接続された積層型圧電素子であって、第1内部電極1は、周縁部1aが当該積層型圧電素子1の側面103に露出するように設けられ、第2内部電極2は、周縁部2aが側面103よりも内部側に位置するように設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
圧電体層を間に介在させて第1の内部電極と第2の内部電極とが交互に積層され、前記第1の内部電極同士、及び前記第2の内部電極同士が、前記圧電体層を前記積層の方向に貫通して設けられたスルーホールを介して接続された積層型圧電素子であって、 前記第1の内部電極は、 周縁部が当該積層型圧電素子の側面に露出するように設けられ、 前記第2の内部電極は、 周縁部が前記側面よりも内部側に位置するように設けられていること を特徴とする積層型圧電素子。
IPC (3):
H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22
FI (3):
H01L41/08 Q ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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