窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203306
Publication number (International publication number)：2002026438
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】劈開工程における歩留まりが高くかつ大量生産が可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体レーザ素子100は、厚さ120〜200μmのn-GaN基板1の一方の面上に、n-バッファ層2、n-クラッド層3、活性層4、p-クラッド層5およびp-コンタクト層6が順に積層されてなる。p-コンタクト層6の所定領域上にはp電極15が形成されている。n-GaN基板1の他方の面は、基板の厚さの0.1%以下の深さを有する凹部を含む凹凸形状を有しており、この凹部内および凸部上にn電極16が形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化物系半導体基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる能動素子領域が形成され、前記窒化物系半導体基板の厚さは120μm以上200μm以下でありかつ前記窒化物系半導体基板の他方の面は深さが前記窒化物系半導体基板の厚さの0.1%以下である凹部を含む凹凸形状を有することを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4)：

H01S 5/02 , H01L 21/304 621 , H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/02 , H01L 21/304 621 B , H01L 33/00 C , H01L 21/78 U

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041DA07 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA32 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-050859 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平2-119225
特開平2-114526

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