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J-GLOBAL ID：200903003063240553

不揮発性プログラマブルメモリ

Inventor： シュヴァリエ・クリストフ・ジェイ. ,  キニー・ウェイン・アイ. ,  ロングコー・スティーブン・ダブリュ. ,  リナーソン・ダレル ,  サンチャエズ・ジョン・イー.・ジュニア ,  スワブ・フィリップ ,  ワード・エドモンド・アール.
Applicant, Patent owner： ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション
Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007511326
Publication number (International publication number)：2007536680
Application date： May. 03, 2004
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：

【課題】【解決手段】 メモリ(3700)が提供される。メモリは、不揮発性メモリセルアレイ(3720)を含み、各セルは、第1の書き込み電圧パルスを印加されると第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へと切り替わるとともに第2の書き込み電圧パルスを印加されると第2の抵抗状態から第1の抵抗状態へと可逆的に切り替わる2端子メモリプラグを含む。【選択図】図37A

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリであって、 複数のX方向伝導性アレイ線および複数のY方向伝導性アレイ線と、 複数の2端子メモリプラグと、 基板と を備え、 前記2端子メモリプラグは、 前記伝導性アレイ線をほぼ直交する向きに互いに交差させた交点に配置され、クロスポイントメモリアレイを形成し、各2端子メモリプラグは、 (i)前記X方向伝導性アレイ線の1本に接続される第1の電極と、 (ii)前記Y方向伝導性アレイ線の1本に接続される第2の電極と、 (iii)前記第1の電極と前記第2の電極との間に、これらの電極と電気的に通信するように配置され、第1の極性の第1の書き込み電圧パルスの印加によって、第1のI-V曲線を示す第1の状態から前記第1の曲線と異なる第2の曲線を示す第2の状態へと書き込み可能であるとともに、前記第1の極性と反対の第2の極性の第2の書き込み電圧パルスの印加によって、前記第2の状態から前記第1の状態へと可逆的に書き込み可能であり、いずれの書き込み電圧パルスよりも低振幅の読み出し電圧パルスを受けたときは状態を変化させず、電力が欠如するときは状態を変化させない、少なくとも1枚の伝導性酸化物の層と、 (iv)前記第1の電極と前記第2の電極との間に、これらの電極と電気的に通信するように配置され、半分選択されたメモリプラグに高抵抗を付与するように動作可能であるとともに、選択されたメモリプラグに低抵抗を付与するように動作可能である、非オーミックデバイスと を含み、 前記基板は、前記伝導性アレイ線と電気的に通信しており前記クロスポイントメモリアレイを駆動するように動作可能であるアクティブ回路構成を含み、当該基板上に前記クロスポイントメモリアレイを形成することにより、結果的に前記クロスポイントメモリアレイの下に位置する 不揮発性メモリ。

IPC (6)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (5)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 449 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (26)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• メモリセル及び記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-347882   Applicant：シャープ株式会社
• 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-242653   Applicant：ソニー株式会社
• MRAMメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-116879   Applicant：インフィニオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト