磁気素子一体型半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000375910
Publication number (International publication number)：2002184945
Application date： Dec. 11, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気素子一体型半導体デバイスで、安価かつ効果的な磁気シールドを可能にする。【解決手段】半導体基板11上に、絶縁膜12を介して下部磁性体15,コイル導体16および上部磁性体17からなる平面インダクタ(磁気素子)を形成するに当たり、半導体基板11上に磁気シールド層14を形成するとともに、この磁気シールド層14の構成材料として高導電材料を用いることにより、磁気素子の集積回路への影響を低コストで、より効果的に低減できるようにする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された集積回路上に、ほぼ平面状の磁気素子を形成してなる磁気素子一体型半導体デバイスにおいて、前記集積回路と磁気素子との間に絶縁膜を介して、高導電率材料からなる磁気シールド層を配置し、前記磁気素子を磁気遮蔽することを特徴とする磁気素子一体型半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

FI (2)：

H01F 17/00 B , H01L 27/04 L

F-Term (9)：

5E070AA01 , 5E070AB08 , 5E070BA01 , 5E070CB02 , 5F038AZ04 , 5F038BH10 , 5F038BH11 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

誘導素子の集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-371460 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
半導体装置とその雑音特性の改善方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-134289 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-070937 Applicant：株式会社東芝

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