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J-GLOBAL ID:200903003118478830

有機回路の作製プロセス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000090010
Publication number (International publication number):2000307172
Application date: Mar. 29, 2000
Publication date: Nov. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、有機回路の作製プロセスを提供する。【解決手段】 有機半導体薄膜はたとえば溶液成型により、有機半導体材料及び溶媒を含む溶液を基板に供給し、溶媒を蒸発させることによって形成される。基板表面の特性、有機半導体材料及びプロセスパラメータは、所望の核生成及び結晶成長が起るよう選択される。得られた有機半導体薄膜は、室温において少なくとも約10-4cm2V-1s-1の比較的高いキャリヤ移動度を示すたとえば1cm2より大きな連続した領域を含む。
Claim (excerpt):
基板を準備する工程;溶媒及び有機半導体化合物を含む溶液を準備する工程;非スピン技術により、基板表面上に溶液を供給する工程;及び室温で少なくとも約10-4cm2V-1s-1の荷電キャリヤ移動度を示す1cm2より大きな連続した領域を含む有機半導体薄膜を形成するため、溶媒を蒸発させる工程を含む有機回路の作製プロセス。
IPC (3):
H01L 51/00 ,  H01L 21/368 ,  H01L 29/786
FI (3):
H01L 29/28 ,  H01L 21/368 L ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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