シリコンウェーハの熱処理方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061640
Publication number (International publication number)：1997232325
Application date： Feb. 26, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MOSデバイス製造工程の最終段階においてもシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性を所定の値に維持することが可能な、シリコンウェーハの熱処理方法を提供する。【解決手段】 MOSデバイス製造用シリコンウェーハに対し、ゲート酸化膜形成の直前に水素雰囲気下または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、処理温度950°C〜1200°C、処理時間1〜60秒の熱処理(以下水素処理という)を行う。この水素処理は赤外ランプを用いることにより、短時間で完了する。短時間水素処理により、酸化膜耐圧は向上するが、その後のSC-1洗浄や犠牲酸化により表層が除去されるため酸化膜耐圧も低下する。そこで、ゲート酸化膜形成工程の直前に水素処理を行えば、デバイス製造工程の最終段階においても酸化膜耐圧が低下しない。

Claim (excerpt)：

MOSデバイス製造用シリコンウェーハに対し、ゲート酸化膜形成の直前に水素雰囲気下または水素と不活性ガスの混合ガス雰囲気下で、処理温度950°C〜1200°C、処理時間1〜60秒の熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/322 , H01L 21/26 , H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/322 Y , H01L 21/316 P , H01L 21/26 L , H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭61-193456
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-135067 Applicant：コマツ電子金属株式会社
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-209280 Applicant：コマツ電子金属株式会社

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