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J-GLOBAL ID：200903003165773165

半導体装置

Inventor： 宮川 弘志 ,  竹内 之治
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996159580
Publication number (International publication number)：1997069588
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 薄型化、小型化を有効に図ることができ、熱放散性に優れるとともに多ピン化に好適な半導体装置を提供する。【解決手段】 配線パターン12が設けられたフレキシブル配線基板10の前記配線パターン12に半導体素子20が電気的に接続されるとともに、該半導体素子20が搭載されたフレキシブル配線基板10の素子搭載領域が樹脂封止されて樹脂封止部22が形成され、素子搭載領域以外の前記フレキシブル配線基板10が折り返されて前記樹脂封止部22の上面に接合され、前記樹脂封止部22の上面に折り返されて接合されたフレキシブル配線基板10に、前記配線パターン12と導通された外部接続端子8が接続されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

配線パターンが設けられたフレキシブル配線基板の前記配線パターンに半導体素子が電気的に接続されるとともに、該半導体素子が搭載されたフレキシブル配線基板の素子搭載領域が樹脂封止されて樹脂封止部が形成され、該素子搭載領域以外の前記フレキシブル配線基板が折り返されて前記樹脂封止部の上面に接合され、前記樹脂封止部の上面に折り返されて接合されたフレキシブル配線基板に、前記配線パターンと導通された外部接続端子が接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (2)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/50 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-326259   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-080793   Applicant：株式会社日立製作所