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J-GLOBAL ID：200903003172944579

誘電体装置の製造方法

Inventor： 田村 哲朗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994047488
Publication number (International publication number)：1995263570
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 コンデンサ等の誘電体装置の製造方法に関し、電極形成時に生じる酸化物高誘電体の酸素欠陥を抑制してキャリア濃度を低減し、また、良好なショットキ障壁を有する酸化物高誘電体と電極との界面を形成して、絶縁性が高く、かつ容量密度が大きい誘電体装置を提供する。【構成】 下部電極1の上に形成した酸化物高誘電体膜2の上に上部電極3を形成する工程において、Pt,Au等の貴金属を酸素を含む雰囲気中で、投入電力を3W/cm2 以下に制限してスパッタする。また、この電極をTi等高融点金属の窒化物とし、その成長初期に酸素をスパッタガス中に導入し、かつ、投入電力を2W/cm2 以下に制限してスパッタする。酸素プラズマ処理により酸化物高誘電体表面の清浄化を行った後、連続して前記の方法で電極を形成する。酸素雰囲気中で蒸着によって電極を形成することもできる。

Claim (excerpt)：

酸化物高誘電体の上に電極を形成する工程において、貴金属を酸素を含むガス雰囲気中で、投入電力を3W/cm2 以下に制限してスパッタすることを特徴とする誘電体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 325 J ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 21/31 D ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106732   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-176365   Applicant：セイコーエプソン株式会社