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J-GLOBAL ID：200903003182405749

シリコン膜の形成方法

Inventor：
加藤 誠

About 加藤 誠


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007113013
Publication number (International publication number)：2008270603
Application date： Apr. 23, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：
【課題】液体シリコン材料中のSi成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料22の液滴24を基板10上に吐出させ、該液滴に光32を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料の液滴を基板上に吐出させ、該液滴に光を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成する、シリコン膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/208 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L21/208 Z ,  H01L21/20
F-Term (29)：
5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053HH10 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F152AA08 ,  5F152AA14 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CE03 ,  5F152CE05 ,  5F152CE18 ,  5F152EE15 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF06 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF21 ,  5F152FF30 ,  5F152FG18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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