強誘電体膜形成方法及び装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995083034
Publication number (International publication number)：1996107077
Application date： Apr. 10, 1995
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】鉛等の蒸気圧の高い原子を構成原子として含む膜の形成において成膜原料が多量に必要となるとともに膜厚均一性の制御が困難となる高温成膜を避けることができ、しかも通常のプラズマCVD法により強誘電体膜を形成する際に生じる、膜の基体との界面付近のプラズマダメージによる欠陥による該膜の誘電率低下を避けることができる強誘電体膜形成方法及び装置を提供する。【構成】成膜用原料ガスとして少なくとも、目的とする強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を含む、この有機化合物ガスとは異なる種類のガスを用い、成膜用原料ガスを熱分解し、この分解物に基体Sを曝して基体S上に強誘電体膜の界面層を形成した後、同様の成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体Sを曝して界面層上に引き続き強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成方法及び装置。

Claim (excerpt)：

成膜用原料ガスとして少なくとも、目的とする強誘電体膜の構成元素を含む有機化合物のガス及び酸素元素を含む、前記有機化合物ガスとは異なる種類のガスを用い、該成膜用原料ガスを熱分解し、この分解物に被成膜基体を曝して該基体上に強誘電体膜の界面層を形成した後、前記成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに前記基体を曝して前記界面層上に引き続き強誘電体膜を形成することを特徴とする強誘電体膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-067545 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
誘電体を用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243792 Applicant：株式会社東芝
特開平2-057686

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Cited by examiner (4)

薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-067545 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
誘電体を用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243792 Applicant：株式会社東芝
特開平2-057686

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