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J-GLOBAL ID：200903003204808753

連続高伝導金属配線およびその製法

Inventor：
シプリアン・イー・ウゾフ

About シプリアン・イー・ウゾフ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998087234
Publication number (International publication number)：1998284603
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 構造全体に延びる連続する単結晶導電材料を有する配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】 底部が開放されたバイア・ライナ構造を使用することにより達成される。
Claim (excerpt)：
(a)バイアの側壁のみに付着させたライナ材料を有し、少なくとも1個の金属レベルの上面に位置する少なくとも1個のバイア・レベルからなる、底部が開放されたバイア・ライナ構造を設ける工程と、(b)工程(a)で設けた上記構造に導電性材料を付着させる工程と、(c)上記導電性材料の上に金属ライン層を形成する工程と、(d)任意で工程(c)で設けた構造をカプセル封じする工程と、(e)上記構造のラインおよびバイアを通って延びる連続した単結晶または多結晶導電性材料を形成するのに有効な条件で、上記金属ライン層または上記カプセル封じした構造をアニールする工程と、(f)工程(c)で設けた構造を平坦化する工程とを含む、連続した単結晶または多結晶導電性材料を配線構造のラインとバイアとの間に形成する方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205
FI (2)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-011737
  • 特開平3-011737
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215793   Applicant：日本電気株式会社
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