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J-GLOBAL ID：200903003210822911

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： セシュ ビー. デスー ,  ティンカイ ケイ. リ
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051618
Publication number (International publication number)：1996111411
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 質の高い層状構造酸化物からなる強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 目的の層状構造酸化物の各元素の金属アルコキシド、金属カルボキシレート、あるいは金属アセチルアセトネートの混合物を含有する前駆体溶液を適切な溶媒中で合成する工程と、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、あるいは塗布法といった技術を用いて、これらの溶液を導電体、半導体、絶縁体、あるいは複雑な集積回路の基板物質上に付与する工程と、この基板を焼成し上記有機物を前駆体から除去する工程と、熱分解を行い目的の結晶性層状構造酸化物を得る工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

化学溶液堆積により基板上に強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を堆積する方法であって、アルコキシド、カルボキシレート、あるいはアセチルアセトネート、またはこれらの組み合わせの形状である層状構造酸化物の金属元素の混合物と、溶媒とを含有する前駆体溶液を調製する工程と、該前駆体溶液を該基板上に付与し、薄膜を形成する工程と、該膜を有する該基板を一定の時間焼成し、該溶媒を該膜から除去する工程と、該膜を有する該基板を加熱し、結晶性薄膜層状構造酸化物を形成する工程と、を包含する方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C01G 1/02 ,  C30B 29/30 ,  G02F 1/05 501 ,  G02F 1/11 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 金属酸化物の前駆体と製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-511197   Applicant：サイメトリックスコーポレイション
• 層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-511140   Applicant：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社