ダイヤモンド積層シリコンウエハ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004223251
Publication number (International publication number)：2006041433
Application date： Jul. 30, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】シリコンウエハの表面上の一部又は全域に形成された酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる電気的絶縁膜の上に、ダイヤモンド膜が、高密着性で、かつ低コストで気相合成されたダイヤモンド積層シリコンウエハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ(半導体シリコン基板10)の表面の全域又は一部の領域上に、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜11、13を形成し、電気的絶縁膜上又はシリコンウエハ及び電気的絶縁膜上にダイヤモンド膜12、14をマイクロ波化学気相成長法により成膜する。マイクロ波化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成膜条件は、マイクロ波投入電力密度がシリコンウエハ表面の単位面積当たり3乃至10kJ/mm2、総投入量が50MJ以上である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコンウエハと、このシリコンウエハの表面の一部又は全部の上に形成された酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜と、この電気的絶縁膜の表面上にマイクロ波化学気相成長法により直接成膜されたダイヤモンド薄膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド積層シリコンウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L21/205 , H01L27/12 P

F-Term (9)：

5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AF03 , 5F045BB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

SOI基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-108202 Applicant：日本電気株式会社
ダイヤモンドの選択形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215206 Applicant：出光石油化学株式会社
リソグラフィ用ダイヤモンド膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-343364 Applicant：信越化学工業株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

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Cited by examiner (2)

リソグラフィ用ダイヤモンド膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-343364 Applicant：信越化学工業株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
ダイヤモンド積層膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-379440 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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