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J-GLOBAL ID：200903021209370673

SOI基板およびその製造方法

Inventor：
小椋 厚志

About 小椋 厚志


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998108202
Publication number (International publication number)：1999307747
Application date： Apr. 17, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 水素イオン剥離法によるSOI基板の製造において、活性層の結晶欠陥密度を低減する。【解決手段】 シリコン基板表面へのシリコン酸化膜の形成、支持基板との貼り合わせ、2段階熱処理の各工程によりSOI基板を製造する。この際用いるシリコン基板を低酸素濃度ウエハとすることにより熱処理時の酸素析出を防止し、結晶欠陥生成を抑制できる。1018/cm3 以下の低酸素濃度シリコン基板を使用した場合、活性層の欠陥密度をほぼ0とすることが可能であり、SOI基板上の高性能電子デバイスが実現される。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜を通して前記シリコン基板中に水素をイオン注入する工程と、シリコン基板と支持基板とを互いに表面が接触するように重ね合わせる工程と、該重ね合わされたシリコン基板及び支持基板を熱処理してシリコン基板中にイオン注入された水素の位置でシリコン基板の剥離を生じさせてSOI活性層、前記シリコン絶縁膜及び前記支持基板よりなるSOI構造を形成する工程とを有するSOI基板の製造方法において、前記シリコン基板表面の少なくともSOI活性層となる領域を前記熱処理において酸素の析出を起こさない低酸素濃度とすることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265
FI (3)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平1-259539
  • SOI基板及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066027   Applicant：住友シチックス株式会社
  • 半導体基板およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-004117   Applicant：川崎製鉄株式会社
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