Pat
J-GLOBAL ID：200903003235615236

積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のための方法および装置

Inventor：
ハインリッヒ ススナー

About ハインリッヒ ススナー


Applicant, Patent owner：
マグラブズ, インコーポレイテッド

About マグラブズ, インコーポレイテッド


Agent (2)： 山田 行一 ,  野田 雅一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004360344
Publication number (International publication number)：2005229099
Application date： Dec. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】 メモリが要する面積を減らすと共に、メモリ抵抗に於ける限界要件を下げる事によって製造を容易にし、メモリセルの選択性を向上させ、拡張可能にする方法を提供する。【解決手段】 積層可能な構造を有する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)100であり、第1のワード線102は、電流を運ぶように構成されている。第1のメモリ縦列は、ワード線に電気的に結合されるとともに、互いに隣接して電気的に接続された複数のメモリセル106から構成される。第1のビット線縦列は、第1のワード線から電気的に絶縁されるとともに、第1のメモリ縦列に磁気的に結合され且つ第1のメモリ縦列から電気的に絶縁されている。第1のビット線縦列は、互いに電気的に絶縁され且つメモリ読み出し及びメモリ書き込み中に電流を運ぶように構成された複数のビット線112を備える。第1のビット線縦列は、第1のメモリ縦列と平行である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
積層可能な構造を有する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)であって、 互いに電気的に結合され且つ互いに上下に積層された複数の磁気メモリセルを備え、各磁気メモリセルがデータを記憶するように構成された第1のメモリ縦列と、 前記第1のメモリ縦列に電気的に結合された導電性の第1のワード線と、 前記第1のメモリ縦列から水平に配置され且つ前記第1のメモリ縦列と平行に配置されるとともに、前記第1のワード線から電気的に絶縁された第1のビット線縦列であり、前記第1のメモリ縦列から電気的に絶縁され且つ互いに電気的に絶縁された導電性の複数のビット線を備え、これらの複数のビット線のうちの1つを通じて流れる電流が複数の磁気メモリセルのうちの1つに影響を与える磁場を形成するように、十分に近接して位置されている第1のビット線縦列と、 を備えるMRAM。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
F-Term (4)：
5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM